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EKV MOSFET Model : ウィキペディア日本語版
EKV MOSFET Model
EKV Mosfet ModelMOS電界効果トランジスタの特性を表現する 数学的モデルで、回路シミュレーションや アナログ回路 設計で利用されることを目的としたものである。
このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz (彼等3名の頭文字をとってEKVとした)らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである。 MOSFETの特性を電圧の2乗特性で表現する 2乗モデル (Quadratic Model)とは異なり、EKV ModelはMOSFETが閾値領域(例:Vbulk=Vsource の条件でかつ Vgate-source < VThresholdの時)での動作も正確に表現できる。加えて、サブマイクロン CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。
== 参考文献 ==


抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「EKV MOSFET Model」の詳細全文を読む




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